پیشنهاد یک طرح جدید به‌منظور افزایش بازده دیود گسیل نور گالیم نیتراید مبتنی بر بلور فوتونی

بازتاب داخلی کلی نور یکی از پدیده‌هایی است که باعث کاهش بازده دیود گسیل نور می‌شود. در این مقاله، با به‌کارگیری بلورهای فوتونی مبتنی بر حفره و کاهش بازتاب داخلی کلی نشان داده شد که بازده یک دیود گسیل نور GaN را می‌توان بیش از دو برابر افزایش داد. با بهره‌گیری از روش تفاضل محدود حوزه زمان و استفاده از 15 دوره تناوب با ثابت شبکه nm 680، ارتفاع حفره nm 210 و نسبت طول حفره به ثابت شبکه 0.5 به ازای طول موج nm 400، بازده افزاره تا 2.1 برابر افزایش یافت. شبیه‌سازی و مقایسه نتایج به‌دست‌آمده از آن به ازای طول موج‌های 400 و 465 نانومتر با پژوهش‌های دیگر نشان داد که به‌کارگیری افزاره پیشنهادی، امکان دست‌یابی به بازده بیش‌تری را فراهم می‌سازد.